样品受激发出射的主要信号

背散射电子(Backscattered electron，简称BSE)以实验为例：用已知量的束流入射到正偏置的样品中，仅约70%的电子能量消耗在作用区内，其余30%的电子从样品中背散射出来，这是背散射电子。起因是由于部分入射电子受到样品原子核在任意方向上的弹性散射，而能量变化不大。其中某些电子可能仅受到单次（或有限的几次）大角散射，即刻反转过来，离开样品，基本保持入射电子能量，通常称其为弹性背散射电子。还有些电子在样品中损失了不同程度的能量，经过多次（几十次甚至几百次）各种非弹性散射事件，能量损失越来越多，其方向也明显改变，当最终散射过程接近表面附近时，若总的散射角9>90°时，就从表面射出来，这些称为非弹性背散射电子。

束电子一般要穿入样品的某个深度后才能经受充分的散射过程，使其穿行方向反转和引起背散射，因此从样品出射的背散射电子带有样品某个深度范围内的性质信息，其取样深度很大程度上依赖样品本身的性质，无法用单一数字给出这个深度值，通过计算认为背散射电子的取样深度范围在1/3的作用区内携带该区域内的形貌和成分信息。